高純氧化鋁（Al?O?）因其優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、高硬度、耐高溫及良好的介電性能，在半導體、精密陶瓷、電子材料等領(lǐng)域具有不可替代的作用。Baikowski BA15-W 4N是一款采用噴霧干燥工藝制備的高純α相氧化鋁粉體，其純度≥99.99%、粒度分布均勻、分散性優(yōu)異，可滿足制造業(yè)對材料性能的嚴苛要求。本文將從其物化特性、核心優(yōu)勢及典型應用等方面進行系統(tǒng)介紹。

2. 產(chǎn)品特性與關(guān)鍵參數(shù)

2.1 超高純度與晶體結(jié)構(gòu)

• 純度：4N級（≥99.99%），雜質(zhì)含量極低（Na、K、Fe等＜10ppm），避免雜質(zhì)對高溫燒結(jié)或電子性能的不利影響。

• 晶體相：100% α相氧化鋁，熱力學穩(wěn)定相，可在1200℃以上長期保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，適用于高溫環(huán)境。

2.2 優(yōu)化的粉體特性

• 比表面積：15-21 m2/g，平衡了反應活性與流動性，適用于漿料配制與燒結(jié)。

• 粒度分布：D50=4.5µm（激光衍射法），分布集中，確保工藝重復性。

• 密度：

• 堆積密度：0.3 g/cm3（松散狀態(tài)）

• 振實密度：0.45 g/cm3（壓縮后）
  適中的密度使其在運輸和儲存時不易分層，同時便于后續(xù)分散。

2.3 噴霧干燥工藝優(yōu)勢

• 預分散性：顆粒表面經(jīng)特殊處理，減少團聚，可直接用于溶劑體系（如水、乙醇），降低后續(xù)研磨能耗。

• 批次穩(wěn)定性：嚴格控制的干燥參數(shù)（如進料速率、霧化壓力）確保不同批次產(chǎn)品的一致性。

3. 核心競爭優(yōu)勢

4. 典型應用與案例

4.1 精密拋光（CMP）

• 應用場景：半導體硅片、藍寶石襯底、光學玻璃等超精密表面加工。

• 優(yōu)勢：

• 高純度避免金屬污染，減少晶圓表面缺陷。

• 窄粒度分布（D50=4.5µm）可控制拋光速率，實現(xiàn)Ra＜0.5nm的超光滑表面。

4.2 高性能陶瓷涂層

• 應用案例：航空發(fā)動機葉片熱障涂層（TBC）、機械密封環(huán)。

• 性能提升：

• α相氧化鋁提供高硬度（HV≥1500）和耐磨性，延長部件壽命。

• 良好的燒結(jié)活性（1500-1600℃）促進致密化，降低孔隙率。

4.3 電子材料

• 用途：

• 集成電路基板（如AlN-Al?O?復合陶瓷）

• 高壓絕緣件、LED封裝散熱材料

• 關(guān)鍵貢獻：

• 高介電常數(shù)（εr≈9.8）與低介電損耗（tanδ＜0.001）。

• 高熱導率（30 W/m·K）助力散熱設(shè)計。

4.4 超濾/催化載體

• 作用機制：

• 作為多孔陶瓷膜骨架材料，提高機械強度與化學穩(wěn)定性。

• 可控比表面積（15-21 m2/g）優(yōu)化催化劑負載效率。

5. 使用建議與注意事項

• 漿料配制：建議固含量10-20%，搭配分散劑（如PAA）并調(diào)節(jié)pH至4-6（Zeta電位優(yōu)化）。

• 燒結(jié)工藝：

• 升溫速率5-10℃/min（避免開裂）

• 可添加0.5wt% MgO抑制晶粒異常生長。

• 儲存條件：密封防潮（濕度＜40%），避免陽光直射，保質(zhì)期24個月。

6. 結(jié)論

Baikowski BA15-W 4N氧化鋁憑借其高純度、100% α相結(jié)構(gòu)及優(yōu)化的粉體特性，在制造領(lǐng)域展現(xiàn)出的適用性。無論是精密拋光、高溫陶瓷，還是電子材料，其穩(wěn)定的性能和即用型分散特性均可顯著提升工藝效率與成品質(zhì)量。對于追求高可靠性、高一致性的工業(yè)應用，該產(chǎn)品是理想的先進陶瓷原料選擇。